Siliciumcarbide (SiC)
Siliciumcarbide (SiC) is een halfgeleidermateriaal met een bandbreedte van de derde-generatie- en wordt gekenmerkt door zijn elektrisch veld met hoge doorslag, hoge thermische geleidbaarheid, hoge driftsnelheid van de elektronenverzadiging en uitstekende chemische en thermische stabiliteit. Het wordt veel gebruikt in vermogenselektronica, RF-apparaten, elektrische voertuigen, 5G-communicatie, industriële voedingen, ruimtevaart en andere gebieden. Door de harde en broze aard is precisiebewerking een cruciale stap in de productie van hoogwaardige- apparaten.
Hemei Company beschikt over diepgaande technische expertise in de precisiebewerking van harde en brosse materialen. Speciaal voor SiC-materialen hebben wij een efficiënt en stabiel polijst- en vlakproces ontwikkeld. Dit proces maakt volledig controleerbare bewerking mogelijk vanaf de voorbereiding van het substraat tot de oppervlakteafwerking op apparaat-niveau, waarbij wordt voldaan aan de strenge oppervlaktekwaliteitseisen voor SiC in- hoogwaardige toepassingen zoals voedingsmodules en RF-microgolfapparaten.
Toepassingsvereisten
De doelstellingen voor het polijsten en oppervlaktebehandeling van SiC-materialen omvatten:
Vermindering van de oppervlakteruwheid (Ra) tot < 0,5 nm.
Bereiken van oppervlaktevlakheid (TTV) Minder dan of gelijk aan 1 μm, waarbij de lokale vlakheid (LTV) superieur is aan deze waarde.
Het produceren van oppervlakken die vrij zijn van krassen, micro-scheuren en sub-schade aan het oppervlak om te voldoen aan de elektrische prestatie-eisen op apparaat-niveau.
Compatibiliteit met verschillende polytypes zoals 4H-SiC en 6H-SiC, ondersteunt wafelverwerking van diameters van 4 inch tot 8 inch.
Om deze doelen te bereiken, maakt Hemei's proces gebruik van op maat gemaakte verbindingssystemen en polijstprocedures in meerdere- stappen, waardoor geometrische nauwkeurigheid en oppervlakte-integriteit tijdens de verwerking worden gegarandeerd.
Systeemspecificaties
De modulaire polijstsystemen van Hemei ondersteunen de verwerking van SiC-wafels/kristallen van verschillende maten en vormen. De kernsystemen omvatten:
HSM-Lipapparatuur uit de L/LP-serie: gebruikt voor initiële materiaalverwijdering en diktecontrole.
HSM-CMP-serie chemisch-mechanische polijstsystemen: gebruikt voor het verkrijgen van ultra-gladde, schade-vrije oppervlakken.
Belangrijkste subsystemen:
Wafer/kristal-specifieke Bonding Unit (WB).
SJ/ASJ-serie precisiepolijstarmaturen.
C-ASJ-aandrijfkop met hoge snelheid-polijstsysteem.
Processtroom
Hechting en montage: Het SiC-monster wordt tijdelijk op een draagplaat gebonden met behulp van de WB-verbindingseenheid en vervolgens op de polijstarmatuur gemonteerd.
Ruw- en tussenpolijsten: Er wordt gecontroleerd slijpen uitgevoerd op de HSM-L-apparatuur om de proces-beïnvloede laag te verwijderen.
Fijn polijsten: Het uiteindelijke polijsten wordt uitgevoerd met behulp van het HSM-CMP-systeem. Parameters zoals druk, rotatiesnelheid en slurrystroomsnelheid worden in real-time aangepast om een oppervlaktegladheid op nano-niveau te bereiken.
Typische resultaten
Oppervlakteruwheid Ra < 0,5 nm.
Totale diktevariatie (TTV) Minder dan of gelijk aan 1 μm, Lokale diktevariatie (LTV) Minder dan of gelijk aan 0,3 μm.
Materiaalverwijderingssnelheid: 0.5 - 2 μm/min (instelbaar).
Geschikt voor SiC-wafels met een diameter kleiner dan of gelijk aan 8 inch, en ondersteunen gangbare polytypes zoals 4H/6H-SiC.
Samenvatting
Hemei Company biedt een complete en betrouwbare polijst- en vlakoplossing voor siliciumcarbidematerialen. Deze oplossing levert consistent oppervlaktekwaliteit op nano-niveau en hoge elektrische prestaties, en ondersteunt daarmee de industrialisatie en verbetering van de apparaatprestaties voor SiC in high--gebieden zoals vermogenselektronica, RF-communicatie en nieuwe energievoertuigen.
