Schuine Fysiek Contact Polijstmiddel (APC Polijstmiddel).
Invoering
Toepassingsvereisten
Systeemspecificaties
Verwerkingsstroom
Klant geval
Introductie
Toepassingsvereisten
Ultra-lage ruwheid (Ra): Eind-vlakruwheid moet minder dan 20 nm zijn, wat idealiter<5 nm to minimize optical scattering loss.
Uitstekende vlakheid: Het eindvlak moet vrij zijn van convexiteit of concaafheid om perfect contact met het Physical Contact (PC) of Angled Physical Contact (APC) oppervlak van de bijpassende connector te garanderen.
Defect-Vrij: Het oppervlak moet vrij zijn van krassen, scheuren en resterende vervuiling door deeltjes.
Hoeknauwkeurigheid: De kantelhoek (θ) moet nauwkeurig worden geregeld, waarbij doorgaans een tolerantie binnen ±0,2 graden vereist is.
Oriëntatie-uitlijning: De richting van de kantelhoek moet worden uitgelijnd met de sleutel van de connector om een correcte hoekaanpassing tijdens het koppelen te garanderen.
Randintegriteit: Het proces van het creëren van het schuine oppervlak moet afbrokkelen aan de vezelrand voorkomen, wat een nieuw reflectiepunt of spanningsconcentrator zou kunnen worden.
Systeemspecificaties
Het HSM Precisieslijp- en polijstsysteem biedt een volledige-procesoplossing.
Verwerkingsstroom
Monstervoorbereiding
Zet het vezeleindvlak vast met een speciaal op maat gemaakte hoekbevestiging. De hoekbevestiging wordt samen met de varkensstaart van de vezel vervolgens op een aangepaste houder bevestigd om te voorkomen dat de varkensstaart de processtroom verstoort.
Polijstvoorbereiding
Vervang de procesplaat door een polijstpad. Conditioneer de pad -vooraf gedurende 30 minuten en schakel het schuurmiddel over op een speciale HSM-polijstslurry.
Beheer belangrijke parameters via de grafische interface:
Snelheid polijstplaat: minder dan of gelijk aan 15 tpm
Drijfmeststroomsnelheid: bewaakt door een real-tijds druppelcontrolesysteem (vermindert verspilling)
Drukbelasting: 0-100 g
Doel: Ultra-lage ruwheid bereiken; De ruwheid van het eind-vlak moet idealiter minder dan 20 nm zijn<5 nm, to minimize optical scattering loss.
Resultaten
De vezeleindvlakken die door het HSM-CMP-systeem zijn verwerkt, behaalden de volgende prestaties:
Klantcasus
Een klant gebruikte het HSM-CMP-systeem om 20 optische vezels onder een hoek van 7 graden te polijsten met het volgende proces en de volgende resultaten:
Initiële staat: RMS=80 nm, met zichtbare snijsporen op het oppervlak.
Na 4 uur polijsten: RMS=15 nm, met gelokaliseerde gebieden die 8 nm bereiken.
Uiterlijk van het oppervlak: Onder microscoopinspectie was het eindvlak vlak en vrij van krassen.
Geschiktheid: Geen risico op breuk of scheuren.
Reinigingseffect: Onderdompeling in een reinigingsoplossing verwijderde de meeste oppervlakteverontreinigingen.
Technische validatie
Schematisch: diagram van het vezeleindvlak na verwerking door het HSM-CMP-systeem.
ISO 4287 - Ruwheid (S-L)
